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Tipos conductores y semiaislantes de sustrato cerámico de SiC de alta potencia

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Sustrato cerámico de SiC
Tipos conductores y semiaislantes de sustrato cerámico de SiC de alta potencia Tipos conductores y semiaislantes de sustrato cerámico de SiC de alta potencia

Tipos conductores y semiaislantes de sustrato cerámico de SiC de alta potencia

Sustrato de SiC, material básico para chips semiconductores, en tipos conductores y semiaislantes, compatible con aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y gran potencia, disponible en diámetros de 2 a 8 pulgadas (50 a 200 mm).

  • Artículo No. :

    CS-SIC-CD001

  • Material : SiC

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  • descripción

Propiedades del SiC Sustrato de carburo de silicio


  1. Estabilidad a altas temperaturas: el sustrato de SiC mantiene una excelente estabilidad a altas temperaturas, con una deformación mínima de la red, lo que evita la expansión o el descontrol térmico.
  2. Resistencia química: Con una resistencia superior a la corrosión, el sustrato de SiC resiste ambientes ácidos y alcalinos, lo que garantiza una estabilidad química a largo plazo.
  3. Durabilidad mecánica: el sustrato de SiC cuenta con alta resistencia mecánica, dureza y resistencia al desgaste, con un gran módulo elástico y un alto módulo de Young, lo que evita la deformación.



Aplicaciones del SiC Sustrato de carburo de silicio


  1. Dispositivos de alta potencia: la alta conductividad térmica del SiC, su alta intensidad de campo eléctrico de ruptura y su baja pérdida de energía lo hacen ideal para módulos de potencia y módulos de accionamiento.
  2. Electrónica de RF: La conductividad de SiC admite el funcionamiento de alta frecuencia, adecuada para amplificadores de potencia de RF, dispositivos de microondas e interruptores de alta frecuencia.
  3. Fotoelectrónica: la amplia brecha energética del SiC y su alta estabilidad térmica son perfectas para fotodiodos, células solares y diodos láser.
  4. Sensores de temperatura: La conductividad térmica y la estabilidad del SiC lo hacen ideal para sensores de temperatura de alta precisión y amplio rango.




Tabla de tamaños del sustrato de carburo de silicio SiC

Proporcione los requisitos de dibujo y parámetros para la personalización.


Cuadrado de sustrato de SiC
Nº de artículo LÃW
(mm) 		Espesor
(mm)
CS-SIC-CD001 10*3 0,5/1,0
CS-SIC-CD002 10*5 0,5/1,0
CS-SIC-CD003 10*10 0,5/1,0
CS-SIC-CD004 15*15 0,5/1,0
CS-SIC-CD005 20*15 0,5/1,0
CS-SIC-CD006 20*20 0,5/1,0


Redondo de sustrato de SiC
Nº de artículo Diámetro
(pulgadas) 		Espesor
(mm)
CS-SIC-CD101 2 2
CS-SIC-CD102 3 3
CS-SIC-CD103 4 4
CS-SIC-CD104 6 2
CS-SIC-CD105 8 3



Etiquetas : Sustrato de SiC de alta temperatura Oblea de SiC de alta potencia Discos de SiC conductores y semiaislantes Sustrato cerámico de SiC Sustrato semiconductor de carburo de silicio
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