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Bandeja de SiC de alta pureza para procesos semiconductores RTA PVD ICP CMP

La bandeja de carburo de silicio de alta pureza, formada mediante sinterización, sirve como un dispositivo de transporte duradero en procesos de fabricación de semiconductores como RTA, PVD, ICP y CMP.

Artículo No. :
CS-THG-CZ1001
Material : SiC

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descripción

Propiedades del SiC Bandeja de carburo de silicio

Gestión térmica superior:
- La bandeja de SiC cuenta con excelente conductividad térmica, lo que garantiza una transferencia de calor eficiente durante el proceso de fabricación de semiconductores.
- Con un bajo coeficiente de expansión térmica, mantiene la estabilidad dimensional, lo que reduce el riesgo de deformación o agrietamiento bajo tensión térmica.
- Exhibe excelente resistencia al choque térmico, lo que le permite soportar cambios rápidos de temperatura sin sufrir daños.
Alta temperatura y durabilidad del plasma:
- Diseñada para resistencia a temperaturas extremas, la bandeja de SiC puede soportar las altas temperaturas que se encuentran en entornos de procesamiento de semiconductores.
- Su resistencia al impacto del plasma lo hace ideal para aplicaciones que involucran grabado con plasma u otros procesos basados en plasma, lo que garantiza longevidad y confiabilidad.
Resistencia química:
- La bandeja es resistente a una amplia gama de ácidos fuertes, álcalis y reactivos químicos, lo que proporciona una protección sólida contra materiales corrosivos comúnmente utilizados en la fabricación de semiconductores.
- Esta inercia química garantiza un rendimiento constante y una vida útil prolongada, lo que reduce la necesidad de reemplazos frecuentes.
Propiedades mecánicas excepcionales:
- Caracterizada por alta dureza y alta resistencia, la bandeja de SiC ofrece una durabilidad y capacidad de carga excepcionales.
- Su buena resistencia al desgaste garantiza que la bandeja mantenga una superficie lisa y precisa a lo largo del tiempo, minimizando el riesgo de contaminación por partículas en procesos de fabricación sensibles.

Aplicaciones del SiC Bandeja de carburo de silicio

La bandeja de SiC sirve como una placa de transporte fundamental en los procesos de fabricación de semiconductores, incluida la producción de LED. Su combinación única de propiedades térmicas, químicas y mecánicas lo convierte en un componente indispensable para garantizar la precisión, confiabilidad y eficiencia de las operaciones modernas de fabricación de semiconductores.

Tabla de tamaños de la bandeja de carburo de silicio SiC

Proporcione los requisitos de dibujo y parámetros para la personalización.

Bandeja de carburo de silicio Bandeja de SiC PVD
Nº de artículo	Diámetro (mm)	Espesor (mm)	Pureza del SiC (%)
CS-THG-CZ1001	230	3	99
CS-THG-CZ1002	300	1.4	99
CS-THG-CZ1003	300	3	99
CS-THG-CZ1004	330	1.4	99
CS-THG-CZ1005	330	3	99

Bandeja de carburo de silicio SiC ICBandeja P
Nº de artículo	Diámetro (mm)	Espesor (mm)	Pureza del SiC (%)
CS-THG-CZ2001	300	3	99
CS-THG-CZ2002	300	4.4	99
CS-THG-CZ2003	330	4.4	99
CS-THG-CZ2004	330	3	99
CS-THG-CZ2005	380	4.4	99
CS-THG-CZ2006	380	3	99

Etiquetas : Bandeja de carburo de silicio Bandeja de semiconductores de SiC Bandeja portadora de SiC RTA Bandeja PVD/ICP/CMP SiC Bandeja de SiC para fabricación de semiconductores

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Asunto :
Bandeja de SiC de alta pureza para procesos semiconductores RTA PVD ICP CMP CS-THG-CZ1001

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