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Obleas SOI
Obleas SOI de alta velocidad Aislador de silicio sobre aislante de bajo consumo para circuitos integrados y MEMS Obleas SOI de alta velocidad Aislador de silicio sobre aislante de bajo consumo para circuitos integrados y MEMS

Obleas SOI de alta velocidad Aislador de silicio sobre aislante de bajo consumo para circuitos integrados y MEMS

Las obleas SOI, silicio sobre aislante donde una fina capa de silicio se asienta sobre un sustrato aislante, permiten un funcionamiento a alta velocidad y bajo consumo de energía al reducir la capacitancia, la corriente de fuga y mejorar las velocidades de conmutación, ampliamente adoptadas en microelectrónica y emergentes en fotónica y MEMS.
  • Artículo No. :

    CS-SOI-GP1001
  • Material : SiC

  • descripción

Propiedades del SiC Obleas SOI de carburo de silicio



  1. Velocidad operativa mejorada:
    • Los circuitos construidos con obleas SOI ofrecen un aumento del 30 % en la velocidad operativa en comparación con los de sustratos de silicio tradicionales a voltajes específicos. Este importante impulso mejora enormemente el rendimiento de los microprocesadores y otros dispositivos, alineándose con las demandas de velocidades más altas en la electrónica avanzada.
  2. Consumo de energía reducido:
    • Las obleas SOI contribuyen a una sustancial reducción del 30% al 70% en la pérdida de energía, lo que las hace ideales para aplicaciones donde la eficiencia energética es primordial. Esta capacidad de ahorro de energía es particularmente valiosa en sectores que consumen mucha energía, ya que garantiza operaciones más sostenibles.
  3. Durabilidad operativa mejorada:
    • Los materiales SOI pueden soportar temperaturas tan altas como 350°C a 500°C, demostrando una estabilidad térmica excepcional. Esta solidez es crucial para los dispositivos que deben funcionar de manera confiable en entornos hostiles, garantizando un rendimiento ininterrumpido en condiciones extremas.
  4. Tamaño de paquete más pequeño:
    • Las obleas SOI satisfacen la creciente demanda de paquetes de circuitos integrados más pequeños, lo que permite a los fabricantes de circuitos integrados satisfacer la tendencia de miniaturización. Esta reducción de tamaño no solo respalda el desarrollo de dispositivos más compactos, sino que también se alinea con el impulso de la industria para una mayor integración y eficiencia.



Aplicaciones de SiC Obleas SOI de carburo de silicio



  1. Circuitos integrados de alta velocidad:
    • Las obleas SOI permiten la creación de circuitos integrados de alta velocidad que están optimizados para un procesamiento rápido de datos. Son ideales para aplicaciones que requieren un rendimiento ultrarrápido, como centros de datos, sistemas comerciales de alta frecuencia y plataformas informáticas avanzadas.
  2. Circuitos integrados de alta temperatura:
    • Con su capacidad para funcionar a temperaturas elevadas, las obleas SOI son perfectas para circuitos integrados de alta temperatura. Esto los hace cruciales en industrias como automotriz, aeroespacial y petróleo y gas, donde los dispositivos deben funcionar de manera confiable en condiciones térmicas extremas.
  3. Circuitos integrados de bajo consumo:
    • Las obleas SOI respaldan el desarrollo de circuitos integrados de bajo consumo, fundamentales para dispositivos en IoT (Internet de las cosas), tecnología portátil y informática móvil sectores. Su diseño energéticamente eficiente ayuda a prolongar la vida útil de la batería y reducir el consumo general de energía.
  4. Circuitos integrados de bajo voltaje:
    • Estas obleas están diseñadas para circuitos integrados de bajo voltaje, lo que los hace adecuados para aplicaciones que requieren voltajes de suministro de energía bajos. Son beneficiosos en sistemas integrados, redes de sensores y electrónica portátil, lo que garantiza un rendimiento eficiente incluso con fuentes de energía limitadas.
  5. Dispositivos de microondas y dispositivos de alimentación:
    • Las obleas SOI ofrecen un rendimiento superior en dispositivos de microondas y dispositivos de alimentación. Son esenciales para comunicaciones inalámbricas, sistemas de radar y soluciones de administración de energía, ya que brindan alta eficiencia y confiabilidad en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia.
  6. MEMS (Sistemas Microelectromecánicos):
    • Aprovechando las obleas SOI, MEMS se pueden diseñar con mayor precisión y confiabilidad. Son fundamentales en dispositivos médicos, sensores automotrices y electrónica de consumo, lo que permite funcionalidades innovadoras y un rendimiento mejorado en sistemas miniaturizados.





Tabla de tamaños de obleas SOI de carburo de silicio SiC

Proporcione los requisitos de dibujo y parámetros para la personalización.


N.º de artículo Diámetro de la oblea(μm) Espesor de la capa del dispositivo(μm) Espesor del óxido térmico enterrado (μmï¼ Espesor de oblea del mango (μm)
CS-SOI-GP1001 50±25μm 0,1-300μm 50nm(500Ã)~15μm 100μm
CS-SOI-GP1002 75±25μm
CS-SOI-GP1003 100±25μm
CS-SOI-GP1004 125±25μm
CS-SOI-GP1005 150±25μm
CS-SOI-GP1006 200±25μm





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