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Oblea de SiC para MOSFET, diodos Schottky y fotodiodos

La oblea de carburo de silicio, un material semiconductor de nueva generación, se utiliza para fabricar MOSFET, diodos Schottky, fotodiodos y otros dispositivos electrónicos.

Artículo No. :
CS-SIC-JP001N
Material : SiC

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descripción

Propiedades del SiC Oblea de carburo de silicio

Baja pérdida de energía: Nuestros componentes electrónicos basados en carburo de silicio cuentan con pérdidas de conmutación y apagado significativamente menores en comparación con los módulos IGBT convencionales. A medida que aumenta la frecuencia de conmutación, la diferencia en las pérdidas se vuelve aún más pronunciada.
Diseño compacto: Los componentes electrónicos de carburo de silicio son más pequeños que sus homólogos basados en silicio de la misma especificación, lo que ofrece menos pérdida de energía y mayor densidad de corriente.
Conmutación de alta frecuencia: el material de carburo de silicio cuenta con una tasa de deriva de saturación electrónica dos veces mayor que la del silicio, lo que mejora la frecuencia de funcionamiento de los componentes.
Resistencia a altas temperaturas y excelente disipación de calor: Con un ancho de banda prohibida y una conductividad térmica aproximadamente tres veces mayor que la del silicio, el carburo de silicio puede soportar temperaturas más altas y liberar el calor generado más fácilmente.

Aplicaciones del SiC Oblea de carburo de silicio

Dispositivos de alta potencia (tipo conductor): Ideal para producir dispositivos de alta potencia como módulos de potencia y módulos de accionamiento debido a la alta conductividad térmica, la alta intensidad del campo eléctrico de ruptura y la baja pérdida de energía.
Dispositivos electrónicos de RF (tipo semiaislante): Cumple con las demandas de operación de alta frecuencia, adecuado para amplificadores de potencia de RF, dispositivos de microondas e interruptores de alta frecuencia.
Dispositivos fotoelectrónicos (tipo semiaislante): con una amplia brecha energética y alta estabilidad térmica, perfectos para fotodiodos, células solares y diodos láser.
Sensor de temperatura (tipo conductivo): presenta alta conductividad térmica y estabilidad, lo que lo hace ideal para producir sensores de temperatura de alta precisión y amplio rango de trabajo.

Tabla de tamaños de oblea de carburo de silicio SiC

Proporcione los requisitos de dibujo y parámetros para la personalización.

Oblea de carburo de silicio conductora
Nº de artículo	Diámetro (pulgadas)	Espesor (mm)
CS-SIC-JP001N	2	0,35
CS-SIC-JP002N	3	0,35
CS-SIC-JP003N	4	0,35
CS-SIC-JP004N	6	0,35
CS-SIC-JP005N	2	0,5
CS-SIC-JP006N	3	0,5
CS-SIC-JP007N	4	0,5
CS-SIC-JP008N	6	0,5

Ronda de sustrato de SiC
Nº de artículo	Diámetro (pulgadas)	Espesor (mm)
CS-SIC-CD101	2	2
CS-SIC-CD102	3	3
CS-SIC-CD103	4	4
CS-SIC-CD104	6	2
CS-SIC-CD105	8	3

Etiquetas : Oblea de SiC Semiconductor de carburo de silicio Material semiconductor de SiC Oblea de SiC MOSFET Sustrato de SiC de diodo Schottky

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Asunto :
Oblea de SiC para MOSFET, diodos Schottky y fotodiodos CS-SIC-JP001N

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