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El carburo de silicio sinterizado es
clasificar
a placas refractarias, placas cerámicas de SIC unidas por reacción y placas de SIC rectificadas. Nuestros productos de SIC rectificadas tienen una alta pureza, mientras que nuestras placas de carburo de silicio unidas por reacción y sinterizadas tienen una alta resistencia mecánica.
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El carburo de silicio del hexágono platea la longitud 20-400m m/espesor 6-25 de la placa bullistic del hexágono regular de cerámica la pureza el 90% modificado para requisitos particularesEl carburo de silicio (SiC) es un material cerámico liviano con propiedades de alta resistencia comparables al diamante. Es una excelente materia prima cerámica para aplicaciones que requieren buena resistencia a la erosión y abrasión. -
Placa de carburo de silicio | Placa de SiC a la ventaLa placa setter refractaria con forma de pez Sic para muebles de hornos setter sic se usa ampliamente para los sistemas de estructura de carga de hornos de túnel, hornos de lanzadera y muchos otros hornos industriales. -
Placa a prueba de balas de cerámica NIJ IV nivel SiC para revestimiento de armadura y blindaje protectorLa placa antibalas de cerámica SiC cuenta con alta dureza (HV2600+), protección de nivel NIJ IV, ideal para revestimiento de armaduras corporales y blindaje de vehículos, aviones y barcos. -
Oblea de SiC para MOSFET, diodos Schottky y fotodiodosLa oblea de carburo de silicio, un material semiconductor de nueva generación, se utiliza para fabricar MOSFET, diodos Schottky, fotodiodos y otros dispositivos electrónicos. -
Obleas SOI de alta velocidad Aislador de silicio sobre aislante de bajo consumo para circuitos integrados y MEMSLas obleas SOI, silicio sobre aislante donde una fina capa de silicio se asienta sobre un sustrato aislante, permiten un funcionamiento a alta velocidad y bajo consumo de energía al reducir la capacitancia, la corriente de fuga y mejorar las velocidades de conmutación, ampliamente adoptadas en microelectrónica y emergentes en fotónica y MEMS. -
Tipos conductores y semiaislantes de sustrato cerámico de SiC de alta potenciaSustrato de SiC, material básico para chips semiconductores, en tipos conductores y semiaislantes, compatible con aplicaciones de alta temperatura, alto voltaje y gran potencia, disponible en diámetros de 2 a 8 pulgadas (50 a 200 mm). -
Bandeja de SiC de alta pureza para procesos semiconductores RTA PVD ICP CMPLa bandeja de carburo de silicio de alta pureza, formada mediante sinterización, sirve como un dispositivo de transporte duradero en procesos de fabricación de semiconductores como RTA, PVD, ICP y CMP.
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