Sustrato cerámico metalizado AMB Si3N4 para embalaje de dispositivos de alta potencia

Propiedades del Sustrato de nitruro de silicio metalizado

1. Excelente combinación térmica:
   • El coeficiente de expansión térmica de nuestro sustrato de nitruro de silicio AMB está estrechamente alineado con el de los chips de silicio, lo que garantiza una combinación térmica superior. Esta característica elimina la necesidad de una capa de transición, lo que reduce significativamente los costos de material y procesamiento. Con esta gestión térmica eficiente, se mejora la confiabilidad de los componentes empaquetados, alineándose perfectamente con las demandas de durabilidad en aplicaciones de alto rendimiento.
2. Conductividad térmica superior y alta capacidad de carga de corriente:
   • El sustrato de nitruro de silicio AMB cuenta con una conductividad térmica excepcional y una capacidad de carga de corriente sustancial. Esta combinación permite la creación de paquetes de chips muy compactos, lo que aumenta drásticamente la densidad de potencia. Además, la disipación térmica y el rendimiento eléctrico mejorados contribuyen a mejorar la confiabilidad del sistema y del dispositivo, lo que lo convierte en una opción ideal para dispositivos electrónicos de vanguardia buscados en los mercados europeo y norteamericano.

Aplicacionesns de Sustrato de nitruro de silicio metalizado

1. Aplicación versátil en dispositivos de alto voltaje y alta potencia:
   • El sustrato de nitruro de silicio AMB es un sustrato de embalaje versátil diseñado para dispositivos de alto voltaje y alta potencia. Sirve como base para varios componentes, incluidos módulos de potencia, fuentes de alimentación conmutadas de alta frecuencia, relés, módulos de comunicación y módulos LED. Esta amplia aplicabilidad garantiza que satisfaga las diversas necesidades de los sistemas eléctricos y electrónicos modernos.
2. Emparejamiento ideal con módulos de alimentación de SiC semiconductores de tercera generación:
   • Nuestro sustrato de nitruro de silicio AMB es especialmente adecuado para envasar módulos de potencia semiconductores de SiC de tercera generación. Los módulos de potencia de SiC (carburo de silicio) son reconocidos por su rendimiento excepcional en entornos de alto voltaje y alta temperatura, lo que los hace ideales para aplicaciones en vehículos eléctricos, transporte ferroviario, redes inteligentes, aeroespacial y otros campos de vanguardia. Al combinarse con módulos de potencia de SiC, el sustrato de nitruro de silicio AMB mejora aún más la eficiencia, confiabilidad y durabilidad de estos componentes críticos, alineándose perfectamente con los rigurosos estándares exigidos por los mercados europeos y norteamericanos.

Tabla de tamaños de Sustrato de nitruro de silicio metalizado

Proporcione los requisitos de dibujo y parámetros.