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Sustrato de Zafiro
Obleas de plano C con sustrato de zafiro para epitaxia de nitruro III-V en la fabricación de chips semiconductores Obleas de plano C con sustrato de zafiro para epitaxia de nitruro III-V en la fabricación de chips semiconductores

Obleas de plano C con sustrato de zafiro para epitaxia de nitruro III-V en la fabricación de chips semiconductores

El sustrato de zafiro, resistente a altas temperaturas, corrosión y con un bajo desajuste de red, es ideal para obleas epitaxiales de nitruro III-V como GaN en la fabricación de chips semiconductores.
  • Artículo No. :

    CS-BS-JP1001
  • Material : Sapphire

  • descripción

Propiedades del Sustrato de zafiro


  • Resistente a altas temperaturas y corrosión: Diseñado para soportar temperaturas extremas y ambientes corrosivos, nuestro sustrato de zafiro mantiene su integridad y rendimiento, incluso en las condiciones más desafiantes.

  • Excelente resistencia al desgaste: Con una resistencia al desgaste excepcional, este sustrato garantiza una durabilidad duradera y reduce la necesidad de reemplazos frecuentes, lo que reduce los costos generales de mantenimiento.

  • Adaptable a entornos de trabajo hostiles: Ya sea que trabaje en hornos de alta temperatura, plantas de procesamiento químico u otros entornos exigentes, nuestro sustrato de zafiro está diseñado para prosperar en entornos hostiles, brindando un rendimiento confiable y resultados consistentes.

  • Baja tasa de desajuste de celosía: Con una baja tasa de desajuste de celosía, este sustrato garantiza una compatibilidad óptima con varios materiales y dispositivos, mejorando la estabilidad y confiabilidad del rendimiento general.

  • Rendimiento estable: Conocido por su rendimiento constante y estable, nuestro sustrato de zafiro es la elección perfecta para aplicaciones que requieren precisión y confiabilidad, lo que garantiza que sus operaciones se realicen sin problemas y de manera eficiente.



Aplicaciones del Sustrato de zafiro


  • Ideal para obleas epitaxiales de nitruro III-V: Nuestro sustrato de zafiro sirve como base perfecta para la preparación de obleas epitaxiales de nitruro III-V, como GaN. Esto lo convierte en una opción ideal para la fabricación de chips en la industria de semiconductores, lo que garantiza resultados confiables y de alta calidad.

  • Aplicaciones de la industria de semiconductores: Perfectamente adecuado para la industria de semiconductores, nuestro sustrato admite la fabricación de chips utilizados en una amplia gama de aplicaciones, incluidos LED, láseres y electrónica de alta potencia.

  • Propiedades excepcionales del material: El zafiro es conocido por su excepcional dureza, estabilidad térmica y resistencia química. Estas propiedades hacen que nuestro sustrato sea muy duradero y capaz de soportar las duras condiciones de los procesos de fabricación de semiconductores.

  • Precisión y consistencia: Nuestro sustrato de zafiro ofrece precisión y consistencia en términos de espesor, planitud y calidad de la superficie. Esto garantiza que las obleas epitaxiales producidas sean de la más alta calidad y cumplan con los estrictos estándares de la industria de semiconductores.

  • Opciones personalizables: para satisfacer las diversas necesidades de nuestros clientes, ofrecemos opciones personalizables para nuestro sustrato de zafiro. Ya sea que necesite un tamaño, grosor o tratamiento de superficie específico, podemos adaptar nuestro sustrato para satisfacer sus requisitos exactos.



Tabla de tallas del sustrato de zafiro

Proporcione los requisitos de dibujo y parámetros para la personalización.


Plano C(0001) Sustrato de zafiro
Nº de artículo Encanal Diámetroter(mm) Espesornessï¼Î¼mï¼ ttv arco deformación Puritay
CS-BS-JP1001 1 pulgada 25,4±0,1 430±25 tv < 5 μm
arco < 5 μm
deformación < 5 μm
99,999%
CS-BS-JP1002 2 pulgadas 50,8±0,1 430±25 tv < 10 μm
arco < 10 μm
deformación < 10 μm
99,999%
CS-BS-JP1003 3 pulgadas 76,2±0,1 500±25 tv < 15 μm
arco < 15 μm
deformación < 15 μm
99,999%
CS-BS-JP1004 4 pulgadas 100±0,1 650±25 tv < 20 μm
arco < 20 μm
deformación < 20 μm
99,999%
CS-BS-JP1005 5 pulgadas 125±0,1 650±25 tv < 20 μm
arco < 20 μm
deformación < 20 μm
99,999%
CS-BS-JP1006 6 pulgadas 150±0,2 1300±25 tv < 25 μm
arco < 25 μm
deformación < 25 μm
99,999%
CS-BS-JP1007 8 pulgadas 200±0,2 1300±25 tv< 30 μm
arco< 30 μm
deformación< 30 μm
99,999%


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